Продукція > IXYS > IXFN150N15
IXFN150N15

IXFN150N15 IXYS


ixys_98653-1170291.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 150V 150A
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN150N15 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN150N15

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN150N15 IXFN150N15 Виробник : IXYS 98653.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товар відсутній