
IXFN150N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3483.88 грн |
10+ | 2845.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN150N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN150N65X2 за ціною від 3007.85 грн до 4463.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN150N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 650V Drain current: 145A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 17mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™; X2-Class Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 190ns Gate charge: 355nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFN150N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFN150N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 650V Drain current: 145A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 17mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™; X2-Class Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 190ns Gate charge: 355nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFN150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |