IXFN150N65X2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3383.84 грн |
| 10+ | 2805.30 грн |
| 100+ | 2610.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN150N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN150N65X2 за ціною від 3474.49 грн до 3581.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN150N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 145A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN150N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate charge: 355nC Reverse recovery time: 190ns On-state resistance: 17mΩ Drain current: 145A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 650V Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFN150N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate charge: 355nC Reverse recovery time: 190ns On-state resistance: 17mΩ Drain current: 145A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 650V Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |