
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2400.77 грн |
10+ | 1824.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN160N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 900W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN160N30T за ціною від 1517.50 грн до 2467.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN160N30T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 900W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IXFN160N30T Код товару: 162434
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
IXFN160N30T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFN160N30T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFN160N30T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Gate charge: 376nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 19mΩ Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Drain current: 130A Pulsed drain current: 444A Power dissipation: 900W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 300V Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFN160N30T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Technology: GigaMOS™ Polarisation: unipolar Gate charge: 376nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 19mΩ Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Drain current: 130A Pulsed drain current: 444A Power dissipation: 900W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 300V Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |