Продукція > IXYS > IXFN160N30T
IXFN160N30T

IXFN160N30T IXYS


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN160N30T-Datasheet.PDF Виробник: IXYS
MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2400.77 грн
10+1824.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN160N30T IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 900W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN160N30T за ціною від 1517.50 грн до 2467.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2467.61 грн
10+1748.72 грн
100+1517.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T
Код товару: 162434
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn160n30t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF90EF782821820&compId=IXFN160N30T.pdf?ci_sign=4f514305338d34fe8741e1d339673060b3d7fe0d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 300V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF90EF782821820&compId=IXFN160N30T.pdf?ci_sign=4f514305338d34fe8741e1d339673060b3d7fe0d Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 376nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 19mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 300V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.