IXFN170N30P IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 138A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 258nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2756.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN170N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN170N30P за ціною від 2570.94 грн до 3834.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN170N30P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 138A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 18mΩ Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 890W Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 258nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN170N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN170N30P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN170N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN170N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |