Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFN170N30P
IXFN170N30P

IXFN170N30P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3590.09 грн
10+3080.04 грн
100+2703.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN170N30P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN170N30P за ціною від 2578.04 грн до 3845.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN170N30P IXFN170N30P Виробник : IXYS media-3323541.pdf Discrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3845.50 грн
10+3378.09 грн
20+2839.86 грн
50+2788.40 грн
100+2578.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30P IXFN170N30P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30P IXFN170N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30P IXFN170N30P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9154090911820&compId=IXFN170N30P.pdf?ci_sign=6fff5064feb5b36e4646b3f05f49d502ebb4e4c6 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 500A
Drain current: 138A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 258nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.