Продукція > IXYS > IXFN170N65X2
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2 IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN170N65X2_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3621.07 грн
10+3492.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN170N65X2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227, tariffCode: 0, Transistormontage: Module, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.17kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPERFET X2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXFN170N65X2 за ціною від 2725.36 грн до 4522.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn170n65x2-datasheet?assetguid=2a189d3c-4251-4340-a4a2-11dcae55c724 Description: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3844.34 грн
10+2822.16 грн
100+2725.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007910705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4522.31 грн
5+3983.50 грн
10+3447.91 грн
25+3164.24 грн
50+2887.70 грн
100+2852.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn170n65x2-datasheet?assetguid=2a189d3c-4251-4340-a4a2-11dcae55c724
IXFN170N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3844.34 грн
10+2822.16 грн
100+2725.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 LFSI-S-A0007910705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN170N65X2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4522.31 грн
5+3983.50 грн
10+3447.91 грн
25+3164.24 грн
50+2887.70 грн
100+2852.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.