на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4015.24 грн |
| 10+ | 3872.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN170N65X2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227, tariffCode: 0, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.17kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPERFET X2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXFN170N65X2 за ціною від 2912.54 грн до 4615.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN170N65X2 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 1170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN170N65X2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227 tariffCode: 0 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.17kW Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPERFET X2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN170N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFN170N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFN170N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 170A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 1170W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13mΩ Gate charge: 434nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 270ns Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |