Продукція > IXYS > IXFN170N65X2
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2 IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN170N65X2_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN170N65X2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227, tariffCode: 0, Transistormontage: Module, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.17kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPERFET X2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXFN170N65X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007910705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2 LFSI-S-A0007910705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN170N65X2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.