Продукція > IXYS > IXFN180N10
IXFN180N10

IXFN180N10 IXYS


media-3319116.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 180 Amps 100V 0.008 Rds
на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3529.57 грн
10+ 3100.06 грн
20+ 2535.22 грн
50+ 2450.64 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N10 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN180N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN180N10 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n10_datasheet.pdf.pdf 180A/100V/MOS/1U
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN180N10 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n10_datasheet.pdf.pdf MODULE
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN180N10 IXFN180N10 Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN180N10 IXFN180N10 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN180N10 IXFN180N10 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товар відсутній