Продукція > IXYS > IXFN180N15P
IXFN180N15P

IXFN180N15P IXYS

IXFN180N15P.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N15P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN180N15P за ціною від 1283.45 грн до 2934.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1947.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : IXYS 99241.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2136.59 грн
10+1506.05 грн
100+1283.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : IXYS IXFN180N15P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2253.17 грн
5+1914.97 грн
10+1799.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2266.30 грн
5+1962.82 грн
10+1659.35 грн
50+1512.81 грн
100+1369.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : IXYS media-3319380.pdf MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2401.25 грн
10+2057.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2836.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2934.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n15p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.