Продукція > IXYS > IXFN180N15P
IXFN180N15P

IXFN180N15P IXYS

99241.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1944.67 грн
10+1370.77 грн
100+1168.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N15P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN180N15P за ціною від 1246.77 грн до 3002.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1992.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2062.73 грн
5+1786.51 грн
10+1510.30 грн
50+1376.92 грн
100+1246.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : IXYS media-3319380.pdf MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2101.49 грн
10+1800.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2902.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3002.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P Виробник : IXYS 99241.pdf IXFN180N15P Transistor modules MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1998.88 грн
2+1889.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.