Продукція > IXYS > IXFN180N15P
IXFN180N15P

IXFN180N15P IXYS

99241.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1934.94 грн
10+1363.92 грн
100+1162.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N15P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN180N15P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS media-3319380.pdf description MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description media-3319380.pdf
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.