IXFN180N15P IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Power dissipation: 680W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 380A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 11mΩ
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Power dissipation: 680W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 240nC
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 380A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1498.6 грн |
2+ | 1315.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN180N15P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції IXFN180N15P за ціною від 1124.05 грн до 2619.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN180N15P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A Power dissipation: 680W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 240nC Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 380A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 11mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFN180N15P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |