Продукція > IXYS > IXFN180N15P
IXFN180N15P

IXFN180N15P IXYS

IXFN180N15P.pdf
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1779.31 грн
2+1562.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N15P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 680W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції IXFN180N15P за ціною від 1575.28 грн до 3297.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN180N15P IXFN180N15P Littelfuse media.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2042.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN180N15P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2449.58 грн
10+1874.64 грн
100+1575.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Littelfuse media.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3187.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P Littelfuse media.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3297.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description media.pdf
IXFN180N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2042.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN180N15P_Datasheet.PDF
IXFN180N15P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2449.58 грн
10+1874.64 грн
100+1575.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description media.pdf
IXFN180N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+3187.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description media.pdf
IXFN180N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+3297.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N15P description IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.