Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR GMBH > IXFN180N20

IXFN180N20 Ixys Semiconductor GmbH

Виробник: Ixys Semiconductor GmbH
SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150
на замовлення 210 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N20 Ixys Semiconductor GmbH

Description: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN180N20 за ціною від 253.10 грн до 275.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN180N20 IXFN180N20
Код товару: 47824
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Ixys ixfn180n20-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: miniBLOC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 12,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/22
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+275.00 грн
10+253.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20 IXFN180N20 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20 IXFN180N20 Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn180n20_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20 IXFN180N20 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N20 IXFN180N20 Виробник : IXYS media-3320509.pdf MOSFET Modules 200V 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.