IXFN180N25T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2327.82 грн |
| 10+ | 1655.91 грн |
| 100+ | 1384.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN180N25T IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 900W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN180N25T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN180N25T | IXYS |
MOSFET Modules 155A 250V |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFN180N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 155A 250V
MOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



