IXFN180N25T IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Power dissipation: 900W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 364nC
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 500A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
On-state resistance: 12.9mΩ
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Power dissipation: 900W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 364nC
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 500A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
On-state resistance: 12.9mΩ
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1321.1 грн |
2+ | 1159.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN180N25T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900W, Produktpalette: GigaMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN180N25T за ціною від 1445.51 грн до 2143.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN180N25T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A Power dissipation: 900W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 364nC Technology: GigaMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 500A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 168A On-state resistance: 12.9mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFN180N25T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 900W Produktpalette: GigaMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFN180N25T | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules 155A 250V |
на замовлення 290 шт: термін постачання 350-359 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFN180N25T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||
IXFN180N25T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||
IXFN180N25T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 900W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
товар відсутній |