Продукція > IXYS > IXFN180N25T
IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS

IXFN180N25T.pdf
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Technology: GigaMOS™
Drain current: 168A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 900W
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1937.28 грн
5+1550.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 900W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN180N25T за ціною від 1400.44 грн до 2354.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN180N25T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2105.27 грн
10+1580.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS DS100130AIXFN180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2354.58 грн
10+1674.94 грн
100+1400.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T DS100130AIXFN180N25T.pdf N-CH 250V 168A SOT-227 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.