Продукція > IXYS > IXFN180N25T
IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C6EEE88A158BF&compId=IXFN180N25T.pdf?ci_sign=93b68cf1b62ba6ba3001a31573d6dc6b40bde40e Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1892.76 грн
2+1662.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N25T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900W, Produktpalette: GigaMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFN180N25T за ціною від 1155.91 грн до 2408.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2102.23 грн
10+1485.25 грн
100+1275.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C6EEE88A158BF&compId=IXFN180N25T.pdf?ci_sign=93b68cf1b62ba6ba3001a31573d6dc6b40bde40e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2271.31 грн
2+2071.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS media-3319673.pdf MOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2406.00 грн
10+1744.54 грн
20+1516.26 грн
100+1447.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2408.14 грн
5+2106.81 грн
10+1746.21 грн
50+1453.29 грн
100+1238.47 грн
200+1155.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn180n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.