Продукція > IXYS > IXFN180N25T
IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS


IXFN180N25T.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Power dissipation: 900W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 364nC
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 500A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
On-state resistance: 12.9mΩ
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1321.1 грн
2+ 1159.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N25T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900W, Produktpalette: GigaMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN180N25T за ціною від 1445.51 грн до 2143.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS IXFN180N25T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Power dissipation: 900W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 364nC
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 500A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
On-state resistance: 12.9mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1585.32 грн
2+ 1445.51 грн
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1787.68 грн
10+ 1648.38 грн
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS media-3319673.pdf Discrete Semiconductor Modules 155A 250V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2143.48 грн
10+ 1877.93 грн
20+ 1622.3 грн
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn180n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN180N25T IXFN180N25T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn180n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
товар відсутній