Продукція > IXYS > IXFN180N25T
IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS

DS100130AIXFN180N25T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2333.01 грн
10+1659.60 грн
100+1387.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN180N25T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900W, Produktpalette: GigaMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFN180N25T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN180N25T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN180N25T_Datasheet.PDF
IXFN180N25T
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 155A 250V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N25T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.