IXFN200N10P

IXFN200N10P Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2187.97 грн
10+1542.51 грн
100+1314.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN200N10P Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN200N10P за ціною від 1464.76 грн до 2231.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : IXYS media-3323914.pdf MOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2217.63 грн
10+2015.46 грн
20+1674.78 грн
50+1496.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2231.13 грн
5+1932.27 грн
10+1633.42 грн
50+1464.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P Виробник : IXYS IXFN200N10P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.