Продукція > LITTELFUSE > IXFN200N10P
IXFN200N10P

IXFN200N10P Littelfuse

screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfn200n10p-datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+1967.94 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN200N10P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN200N10P за ціною від 1315.31 грн до 2234.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS DS99239FIXFN200N10P.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.83 грн
10+1585.54 грн
100+1315.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS SEMICONDUCTOR DS99239FIXFN200N10P.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN200N10P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P description DS99239FIXFN200N10P.pdf
IXFN200N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2234.83 грн
10+1585.54 грн
100+1315.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P description DS99239FIXFN200N10P.pdf
IXFN200N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN200N10P_Datasheet.PDF
IXFN200N10P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.