Продукція > IXYS > IXFN200N10P
IXFN200N10P

IXFN200N10P IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn200n10p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1856 грн
10+ 1588.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN200N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 680W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN200N10P за ціною від 1361.26 грн до 2017.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1882.05 грн
5+ 1777.2 грн
10+ 1672.35 грн
50+ 1455.54 грн
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : IXYS media-3323914.pdf Discrete Semiconductor Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2017.3 грн
10+ 1833.4 грн
20+ 1523.49 грн
50+ 1361.26 грн
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : IXYS IXFN200N10P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 680W
Drain current: 200A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 235nC
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 150ns
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN200N10P IXFN200N10P Виробник : IXYS IXFN200N10P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 680W
Drain current: 200A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 235nC
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 150ns
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
товар відсутній