IXFN200N10P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2020.98 грн |
| 10+ | 1424.61 грн |
| 100+ | 1214.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN200N10P за ціною від 1280.25 грн до 2199.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN200N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN200N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN200N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 680W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5mΩ Gate charge: 235nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Reverse recovery time: 150ns Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN200N10P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 680W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5mΩ Gate charge: 235nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Reverse recovery time: 150ns Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |