IXFN20N120P IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN20N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN20N120P за ціною від 2120.77 грн до 2283.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN20N120P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|