IXFN20N120P IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1183.16 грн |
| 3+ | 1062.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN20N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN20N120P за ціною від 1323.58 грн до 1419.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN20N120P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 570mΩ Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 595W Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 193nC Reverse recovery time: 300ns Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN20N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN20N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN20N120P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 20 Amps 1200V 0.6 Rds |
товару немає в наявності |