IXFN210N20P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3292.47 грн |
| 10+ | 2386.07 грн |
| 100+ | 2220.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN210N20P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 188A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFN210N20P за ціною від 1856.81 грн до 3621.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN210N20P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 188A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.07kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.07kW Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXFN210N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 188A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.5mΩ Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.07kW Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 255nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |