Продукція > IXYS > IXFN210N20P
IXFN210N20P

IXFN210N20P IXYS

IXFN210N20P.pdf
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 600A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 1.07kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3084.67 грн
10+2614.22 грн
20+2510.35 грн
50+2497.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN210N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 1070W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN210N20P за ціною від 2367.10 грн до 3590.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN210N20P_Datasheet.PDF MOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3203.07 грн
10+2435.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS DS100019AIXFN210N20P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3590.38 грн
10+2619.19 грн
100+2367.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN210N20P_Datasheet.PDF
IXFN210N20P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3203.07 грн
10+2435.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P DS100019AIXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3590.38 грн
10+2619.19 грн
100+2367.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.