IXFN210N20P LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 188A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3375.14 грн |
| 5+ | 3191.37 грн |
| 10+ | 3007.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN210N20P LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 188A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFN210N20P за ціною від 2093.04 грн до 3383.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN210N20P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFN210N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 188A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5mΩ Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFN210N20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1070W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFN210N20P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 188A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5mΩ Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |