Продукція > IXYS > IXFN210N30P3
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 IXYS

IXFN210N30P3.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2816.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN210N30P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN210N30P3 за ціною від 1778.95 грн до 3767.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3379.51 грн
20+3153.33 грн
200+3017.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0009972176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3448.67 грн
5+2586.30 грн
10+2305.41 грн
50+1928.72 грн
100+1779.65 грн
250+1778.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : IXYS media-3323433.pdf MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3767.70 грн
10+3308.89 грн
20+2705.98 грн
50+2615.19 грн
100+2525.14 грн
200+2442.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 Виробник : Ixys Semiconductor GmbH littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3
Код товару: 164550
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.