IXFN210N30P3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2507.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN210N30P3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5kW, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFN210N30P3 за ціною від 2347.84 грн до 3319.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN210N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 192A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.5mΩ Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 1.5kW Technology: HiPerFET™; Polar3™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 268nC Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN210N30P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN210N30P3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5kW Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN210N30P3 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN210N30P3 | Виробник : Ixys Semiconductor GmbH | MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||
IXFN210N30P3 Код товару: 164550 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IXFN210N30P3 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |