Продукція > Транзистори > IGBT > IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30p3-datasheet?assetguid=ea95238f-f12e-4f01-a0cb-121dd942c6bc
Код товару: 164550
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFN210N30P3 за ціною від 2189.01 грн до 5307.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.5kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2915.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 LITTELFUSE littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30p3-datasheet?assetguid=ea95238f-f12e-4f01-a0cb-121dd942c6bc Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3365.76 грн
5+3197.43 грн
10+2405.72 грн
50+2189.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN210N30P3_Datasheet.PDF MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3484.15 грн
10+2824.67 грн
100+2302.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30p3-datasheet?assetguid=ea95238f-f12e-4f01-a0cb-121dd942c6bc MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+5307.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.5kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2915.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30p3-datasheet?assetguid=ea95238f-f12e-4f01-a0cb-121dd942c6bc
IXFN210N30P3
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3365.76 грн
5+3197.43 грн
10+2405.72 грн
50+2189.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN210N30P3_Datasheet.PDF
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3484.15 грн
10+2824.67 грн
100+2302.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30p3-datasheet?assetguid=ea95238f-f12e-4f01-a0cb-121dd942c6bc
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5307.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.