Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFN210N30P3 за ціною від 5257.98 грн до 5257.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN210N30P3 | IXYS |
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IXFN210N30P3 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 VtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 1.5kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 1.5kW SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IXFN210N30P3 |
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IXFN210N30P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXFN210N30P3 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXFN210N30P3 |
![]() |
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5257.98 грн |




