Продукція > IXYS > IXFN210N30P3
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 IXYS


IXFN210N30P3.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2507.01 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN210N30P3 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5kW, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXFN210N30P3 за ціною від 2347.84 грн до 3319.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3008.42 грн
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3138.73 грн
10+ 2693.33 грн
100+ 2364.06 грн
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0009972176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3183.29 грн
5+ 3010.34 грн
10+ 2836.65 грн
50+ 2347.84 грн
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : IXYS media-3323433.pdf Discrete Semiconductor Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3319.07 грн
10+ 2914.79 грн
20+ 2383.72 грн
50+ 2365.93 грн
IXFN210N30P3 Виробник : Ixys Semiconductor GmbH littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IXFN210N30P3
Код товару: 164550
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n30p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній