IXFN210N30X3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3233.69 грн |
| 10+ | 2425.58 грн |
| 100+ | 2330.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN210N30X3 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFN210N30X3 за ціною від 2523.76 грн до 3480.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 695W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFN210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Pulsed drain current: 650A Power dissipation: 695W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFN210N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Pulsed drain current: 650A Power dissipation: 695W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |