Продукція > IXYS > IXFN210N30X3
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30x3-datasheet?assetguid=e87aeb6d-7459-4c92-990b-ae67617ef900
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3629.21 грн
10+2646.63 грн
100+2343.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN210N30X3 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFN210N30X3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN210N30X3_Datasheet.PDF MOSFET Modules MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 LITTELFUSE LFSI-S-A0009972232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN210N30X3_Datasheet.PDF
IXFN210N30X3
Виробник: IXYS
MOSFET Modules MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 LFSI-S-A0009972232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN210N30X3
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.