
IXFN220N20X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1835.00 грн |
10+ | 1763.02 грн |
100+ | 1568.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN220N20X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN220N20X3 за ціною від 2309.28 грн до 2771.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 160A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 6.2mΩ Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 390W Technology: HiPerFET™; X3-Class Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 128ns Gate charge: 204nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 160A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 6.2mΩ Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 390W Technology: HiPerFET™; X3-Class Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 128ns Gate charge: 204nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |