Продукція > IXYS > IXFN230N20T
IXFN230N20T

IXFN230N20T IXYS

DS100134BIXFN230N20T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3083.56 грн
10+2223.27 грн
50+1905.95 грн
100+1786.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN230N20T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 1.09kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.09kW, SVHC: To Be Advised, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції IXFN230N20T за ціною від 2814.54 грн до 3569.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN230N20T IXFN230N20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN230N20T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 230A 200V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+3569.82 грн
10+2814.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T IXFN230N20T LITTELFUSE DS100134BIXFN230N20T.pdf Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.09kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN230N20T_Datasheet.PDF
IXFN230N20T
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 230A 200V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3569.82 грн
10+2814.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T DS100134BIXFN230N20T.pdf
IXFN230N20T
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.09kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.