Продукція > IXYS > IXFN240N15T2
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2 IXYS


IXFN240N15T2.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1568.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN240N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN240N15T2 за ціною від 1716.08 грн до 1882.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 Виробник : IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1882.64 грн
2+1716.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn240n15t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 240A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 Виробник : IXYS ixyss04250_1-2272312.pdf Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.