IXFN240N15T2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2170.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN240N15T2 IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 240A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 5.2mΩ, Pulsed drain current: 600A, Power dissipation: 830W, Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 460nC, Reverse recovery time: 140ns, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN240N15T2 за ціною від 2604.45 грн до 2604.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.2mΩ Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 830W Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 460nC Reverse recovery time: 140ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||
IXFN240N15T2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 240A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B |
товар відсутній |
||||||
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
товар відсутній |