
IXFN240N15T2 IXYS

Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1568.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN240N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN240N15T2 за ціною від 1716.08 грн до 1882.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.2mΩ Gate charge: 460nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 140ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |