Продукція > Транзистори > IGBT > IXFN24N100

IXFN24N100

DS98597HIXFN24N100.pdf
Код товару: 101787
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN24N100

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:1000V
  • Cont Current Id:24A
  • On State Resistance:0.39ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5.5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2500V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.39ohm
  • Max Repetitive Avalanche Energy:60mJ
  • Max Voltage Vds:1000V
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:600W
  • Power Dissipation Pd:600W
  • Pulse Current Idm:96A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:5V/es
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
  • Weight:0.04kg
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Інші пропозиції IXFN24N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN24N100_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 1KV 24A
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 description IXYS-S-A0008595601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN24N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN24N100_Datasheet.PDF
IXFN24N100
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 1KV 24A
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.