Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFN24N100
IXFN24N100

IXFN24N100 IXYS SEMICONDUCTOR

IXYS-S-A0008595601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3164.35 грн
5+2956.79 грн
10+2749.22 грн
50+2360.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN24N100 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN24N100 за ціною від 2265.79 грн до 3195.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN24N100 IXFN24N100 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN24N100_Datasheet.PDF MOSFET Modules 1KV 24A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3195.04 грн
10+2658.20 грн
100+2265.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100
Код товару: 101787
Додати до обраних Обраний товар

DS98597HIXFN24N100.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 Виробник : IXYS DS98597HIXFN24N100.pdf Description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 Виробник : IXYS IXFN24N100-DTE.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 96A
Semiconductor structure: single transistor
Technology: HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.