Продукція > IXYS > IXFN24N100
IXFN24N100

IXFN24N100 IXYS

media-3320264.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules 1KV 24A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3892.37 грн
10+3533.04 грн
20+3021.45 грн
50+2971.42 грн
100+2921.39 грн
200+2407.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN24N100 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN24N100 за ціною від 2673.74 грн до 4053.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN24N100 IXFN24N100 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4053.80 грн
5+3584.21 грн
10+3087.39 грн
50+2673.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100
Код товару: 101787
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn24n100_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn24n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn24n100_datasheet.pdf.pdf IXFN24N100 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN24N100 IXFN24N100 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn24n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.