на замовлення 244 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3508.59 грн |
| 10+ | 2950.73 грн |
| 100+ | 2439.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN24N100 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.39 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN24N100 за ціною від 2868.38 грн до 3846.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN24N100 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.39 ohm, ISOTOP, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN24N100 Код товару: 101787 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
IXFN24N100 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN24N100 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 568W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN24N100 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN24N100 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 568W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |