IXFN26N120P IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.5Ω
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3333.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN26N120P IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A, Technology: HiPerFET™; Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 695W, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±40V, On-state resistance: 0.5Ω, Gate charge: 255nC, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 300ns, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN26N120P за ціною від 3999.97 грн до 3999.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 23A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 695W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.5Ω Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||
 |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
товар відсутній |
|||||
 |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 26 Amps 1200V |
товар відсутній |