IXFN26N120P IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3215.05 грн |
| 3+ | 2636.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN26N120P IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 23A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.5Ω, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 695W, Technology: HiPerFET™; Polar™, Gate-source voltage: ±40V, Mechanical mounting: screw, Reverse recovery time: 300ns, Gate charge: 255nC, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN26N120P за ціною від 2841.88 грн до 3858.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 23A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.5Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 695W Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 300ns Gate charge: 255nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 26 Amps 1200V |
товару немає в наявності |