IXFN26N90
Код товару: 53753
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN26N90
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:900V
- Cont Current Id:26A
- On State Resistance:0.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Isolation voltage:2500V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.3ohm
- Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
- Max Voltage Vds:900V
- Max Voltage Vgs th:5V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:600W
- Power Dissipation Pd:600W
- Pulse Current Idm:104A
- Rate of Voltage Change dv / dt:5V/es
- Weight:0.044kg
- Transistor Case Style:ISOTOP
Інші пропозиції IXFN26N90
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 900V 26A |
товару немає в наявності |