IXFN26N90
Код товару: 53753
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN26N90
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:900V
- Cont Current Id:26A
- On State Resistance:0.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Isolation voltage:2500V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.3ohm
- Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
- Max Voltage Vds:900V
- Max Voltage Vgs th:5V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:600W
- Power Dissipation Pd:600W
- Pulse Current Idm:104A
- Rate of Voltage Change dv / dt:5V/es
- Weight:0.044kg
- Transistor Case Style:ISOTOP
