IXFN300N20X3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3045.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN300N20X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFN300N20X3 за ціною від 2213.31 грн до 3341.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN300N20X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 695W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN300N20X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN300N20X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFN300N20X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFN300N20X3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 300A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.5mΩ Pulsed drain current: 700A Power dissipation: 695W Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate charge: 375nC Reverse recovery time: 172ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFN300N20X3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 300A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.5mΩ Pulsed drain current: 700A Power dissipation: 695W Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate charge: 375nC Reverse recovery time: 172ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |