Технічний опис IXFN32N120 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B, Packaging: Box, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN32N120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN32N120 | Виробник : IXYS |
 MODULE |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IXFN32N120 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN32N120 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Packaging: Box Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN32N120 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds |
товару немає в наявності |