Продукція > IXYS > IXFN32N120

IXFN32N120 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=DAF2E8DA-25E5-4EB4-A443-23414D6E65B0&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN32N120-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN32N120 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B, Packaging: Box, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN32N120

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN32N120 IXFN32N120.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120 IXFN32N120 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=DAF2E8DA-25E5-4EB4-A443-23414D6E65B0&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN32N120-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120 IXFN32N120 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN32N120_Datasheet.PDF MOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120 IXFN32N120.pdf
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120 media?resourcetype=datasheets&itemid=DAF2E8DA-25E5-4EB4-A443-23414D6E65B0&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN32N120-Datasheet.PDF
IXFN32N120
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN32N120_Datasheet.PDF
IXFN32N120
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.