Продукція > IXYS > IXFN32N120

IXFN32N120 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn32n120_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFN32N120 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B, Packaging: Box, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN32N120

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFN32N120	Виробник : IXYS	MODULE	на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IXFN32N120	Виробник : Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFN32N120	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Packaging: Box Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.