Продукція > IXYS > IXFN32N120P
IXFN32N120P

IXFN32N120P IXYS


media-3321719.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules 32 Amps 1200V
на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5497.92 грн
10+5020.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN32N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN32N120P за ціною від 4041.13 грн до 6253.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN32N120P IXFN32N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+5836.35 грн
10+5193.03 грн
25+5141.66 грн
50+4866.04 грн
100+4041.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P IXFN32N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6253.23 грн
10+5563.96 грн
25+5508.92 грн
50+5213.61 грн
100+4329.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P IXFN32N120P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn32n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P Виробник : IXYS DS99718HIXFN32N120P.pdf IXFN32N120P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P IXFN32N120P Виробник : IXYS DS99718HIXFN32N120P.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.