на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5419.46 грн |
| 10+ | 4822.10 грн |
| 25+ | 4774.40 грн |
| 50+ | 4518.47 грн |
| 100+ | 3752.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN32N120P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN32N120P за ціною від 4041.13 грн до 5836.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN32N120P | Виробник : IXYS |
 MOSFET Modules 32 Amps 1200V |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN32N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN32N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN32N120P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 32A Electrical mounting: screw On-state resistance: 0.31Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 1kW Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 360nC Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Reverse recovery time: 300ns Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN32N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN32N120P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 32A Electrical mounting: screw On-state resistance: 0.31Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 1kW Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 360nC Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Reverse recovery time: 300ns Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |