Продукція > Транзистори > IGBT > IXFN32N120P

IXFN32N120P

DS99718HIXFN32N120P.pdf
Код товару: 219019
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
очікується: 5 шт
  • 5 шт - очікується 20.09.2026
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFN32N120P за ціною від 4275.53 грн до 5997.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN32N120P IXFN32N120P IXYS DS99718HIXFN32N120P.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5997.71 грн
10+4490.88 грн
50+4275.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P IXFN32N120P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN32N120P_Datasheet.PDF MOSFET Modules 32 Amps 1200V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P DS99718HIXFN32N120P.pdf
IXFN32N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5997.71 грн
10+4490.88 грн
50+4275.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N120P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN32N120P_Datasheet.PDF
IXFN32N120P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 32 Amps 1200V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.