IXFN360N10T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1904.12 грн |
| 10+ | 1341.05 грн |
| 100+ | 1139.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN360N10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFN360N10T за ціною від 1239.71 грн до 2425.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 830W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Produktpalette: Trench HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T Код товару: 92649
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 360 Amps 100V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Gate charge: 525nC Reverse recovery time: 130ns On-state resistance: 2.6mΩ Power dissipation: 830W Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 900A Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |