IXFN360N10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 525nC
Reverse recovery time: 130ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1618.11 грн |
| 2+ | 1420.42 грн |
| 10+ | 1365.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN360N10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFN360N10T за ціною від 1194.82 грн до 2276.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 2.6mΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 830W Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Gate charge: 525nC Reverse recovery time: 130ns Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 830W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Produktpalette: Trench HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 360 Amps 100V |
на замовлення 686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IXFN360N10T Код товару: 92649
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IXFN360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |