Продукція > IXYS > IXFN360N10T
IXFN360N10T

IXFN360N10T IXYS

IXFN360N10T.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1822.59 грн
5+1441.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN360N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFN360N10T за ціною від 1129.29 грн до 2430.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1886.26 грн
10+1328.47 грн
100+1129.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR 2362856.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1942.39 грн
5+1814.78 грн
10+1687.98 грн
50+1448.92 грн
100+1228.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2187.10 грн
5+1796.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2244.09 грн
10+1701.48 грн
100+1540.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2307.33 грн
10+2146.66 грн
50+2049.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2430.69 грн
10+1842.95 грн
100+1668.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T
Код товару: 92649
Додати до обраних Обраний товар

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN360N10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 360 Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.