Продукція > Транзистори > IGBT > IXFN360N10T

IXFN360N10T

media?resourcetype=datasheets&itemid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF
Код товару: 92649
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFN360N10T за ціною від 1296.96 грн до 2601.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 525nC
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Drain current: 360A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 2.6mΩ
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1894.97 грн
2+1663.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2399.94 грн
10+1701.76 грн
50+1442.20 грн
100+1296.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2529.79 грн
10+1918.09 грн
100+1736.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2557.46 грн
10+1939.07 грн
100+1755.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN360N10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 360 Amps 100V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2572.42 грн
10+1832.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2601.07 грн
10+2419.95 грн
50+2309.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS SEMICONDUCTOR 2362856.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 525nC
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Drain current: 360A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 2.6mΩ
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1894.97 грн
2+1663.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T media?resourcetype=datasheets&itemid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2399.94 грн
10+1701.76 грн
50+1442.20 грн
100+1296.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf
IXFN360N10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2529.79 грн
10+1918.09 грн
100+1736.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf
IXFN360N10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2557.46 грн
10+1939.07 грн
100+1755.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN360N10T_Datasheet.PDF
IXFN360N10T
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 360 Amps 100V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2572.42 грн
10+1832.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf
IXFN360N10T
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2601.07 грн
10+2419.95 грн
50+2309.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T 2362856.pdf
IXFN360N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.