Продукція > IXYS > IXFN360N10T
IXFN360N10T

IXFN360N10T IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C5891EC71D8BF&compId=IXFN360N10T.pdf?ci_sign=f49be72713bf6a9d89a1f56881e5f6829ccb1185 Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1702.58 грн
2+1494.58 грн
100+1489.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN360N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFN360N10T за ціною від 1193.39 грн до 2252.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1977.62 грн
10+1499.43 грн
100+1357.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1993.46 грн
10+1403.91 грн
100+1193.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C5891EC71D8BF&compId=IXFN360N10T.pdf?ci_sign=f49be72713bf6a9d89a1f56881e5f6829ccb1185 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2043.09 грн
2+1862.47 грн
100+1787.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2106.70 грн
10+1597.30 грн
100+1445.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2166.07 грн
10+2015.24 грн
50+1923.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2213.02 грн
5+1915.81 грн
10+1618.60 грн
50+1429.59 грн
100+1251.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : IXYS media-3319811.pdf MOSFET Modules 360 Amps 100V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2252.73 грн
10+1601.90 грн
30+1368.74 грн
100+1354.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T
Код товару: 92649
Додати до обраних Обраний товар

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N10T IXFN360N10T Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.