Продукція > LITTELFUSE > IXFN360N15T2
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2 Littelfuse

sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4549.22 грн
10+3633.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN360N15T2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1070W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN360N15T2 за ціною від 3672.98 грн до 4598.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Littelfuse sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4598.41 грн
10+3672.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 LITTELFUSE LFSI-S-A0012730383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4598.41 грн
10+3672.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 LFSI-S-A0012730383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN360N15T2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.