Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFN360N15T2
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3361.50 грн
10+2535.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN360N15T2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1070W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN360N15T2 за ціною від 2640.02 грн до 3764.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Виробник : IXYS media-3320077.pdf MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3590.25 грн
10+3031.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0012730383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 0.004 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3764.12 грн
5+3457.12 грн
10+3150.11 грн
50+2640.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFN360N15T2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.