Продукція > IXYS > IXFN360N15T2
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2 IXYS

ixfn360n15t2-datasheet?assetguid=3b33fd6e-78dc-4051-88f6-4f577ef7a2b9
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3205.17 грн
10+2329.91 грн
100+2187.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN360N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1070W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN360N15T2 за ціною від 3649.91 грн до 4618.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Littelfuse sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4569.53 грн
10+3649.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 Littelfuse sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4618.94 грн
10+3689.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 LITTELFUSE LFSI-S-A0012730383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4569.53 грн
10+3649.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 sediscretemosfetsnchanneltrenchgateixfn360n15t2datasheet.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4618.94 грн
10+3689.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 LFSI-S-A0012730383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN360N15T2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN360N15T2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 310 A, 150 V, 4000 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1070W
Produktpalette: GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.