Продукція > IXYS > IXFN360N15T2
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2 IXYS

ixfn360n15t2-datasheet?assetguid=3b33fd6e-78dc-4051-88f6-4f577ef7a2b9
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3205.17 грн
10+2329.91 грн
100+2187.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN360N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1070W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN360N15T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN360N15T2 ixfn360n15t2-datasheet?assetguid=3b33fd6e-78dc-4051-88f6-4f577ef7a2b9 MOSFET, VDSS= 150V, ID(cont)= 310A, Single, SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 IXYS IXFN360N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 310A
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 1.07kW
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 ixfn360n15t2-datasheet?assetguid=3b33fd6e-78dc-4051-88f6-4f577ef7a2b9
MOSFET, VDSS= 150V, ID(cont)= 310A, Single, SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_trench_gate_ixfn360n15t2_datasheet.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 310A
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 1.07kW
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.