IXFN36N100 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN36N100 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN36N100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN36N100 | IXYS |
MOSFET Modules 1KV 36A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFN36N100 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 1KV 36A
MOSFET Modules 1KV 36A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.




