IXFN38N100P

IXFN38N100P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3208.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN38N100P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN38N100P за ціною від 2614.48 грн до 3824.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN38N100P IXFN38N100P Виробник : IXYS media-3322527.pdf MOSFET Modules 38 Amps 1000V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3720.57 грн
10+2868.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100P IXFN38N100P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3824.46 грн
10+2781.26 грн
100+2614.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100P IXFN38N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100P IXFN38N100P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn38n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100P IXFN38N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA7720FEE265820&compId=IXFN38N100P.pdf?ci_sign=8127a5e23ad1ce6b02da77b9e7e36fc590b8522a Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 120A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN38N100P IXFN38N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA7720FEE265820&compId=IXFN38N100P.pdf?ci_sign=8127a5e23ad1ce6b02da77b9e7e36fc590b8522a Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 120A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35µC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.