на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3047.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN38N100P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN38N100P за ціною від 3533.28 грн до 3775.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN38N100P | Виробник : IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules 38 Amps 1000V |
на замовлення 530 шт: термін постачання 605-614 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFN38N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN38N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN38N100P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 120A Case: SOT227B Power dissipation: 1kW Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 0.35µC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±40V Pulsed drain current: 120A Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A On-state resistance: 0.21Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN38N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN38N100P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 120A Case: SOT227B Power dissipation: 1kW Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 0.35µC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±40V Pulsed drain current: 120A Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A On-state resistance: 0.21Ω |
товар відсутній |