IXFN420N10T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2290.44 грн |
| 10+ | 1625.20 грн |
| 100+ | 1513.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN420N10T Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: GigaMOS HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFN420N10T за ціною від 1457.81 грн до 2552.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN420N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN420N10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.07kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.07kW Produktpalette: GigaMOS HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN420N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN420N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN420N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN420N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3mΩ Gate charge: 670nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 140ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN420N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3mΩ Gate charge: 670nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 140ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |