Продукція > IXYS > IXFN420N10T
IXFN420N10T

IXFN420N10T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC87B9628D208143&compId=IXFN420N10T.pdf?ci_sign=b6ca25fc8c12b8d526ebadade3bda0c6322075d3 Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.56 грн
2+1648.34 грн
10+1584.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN420N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: GigaMOS HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFN420N10T за ціною від 1395.46 грн до 2442.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC87B9628D208143&compId=IXFN420N10T.pdf?ci_sign=b6ca25fc8c12b8d526ebadade3bda0c6322075d3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2253.08 грн
2+2054.08 грн
10+1901.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2258.64 грн
10+1602.59 грн
100+1395.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007923927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2299.97 грн
5+2162.84 грн
10+2024.86 грн
50+1752.88 грн
100+1499.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : IXYS media-3320806.pdf MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2442.15 грн
10+1865.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn420n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.