Продукція > IXYS > IXFN420N10T
IXFN420N10T

IXFN420N10T IXYS

IXFN420N10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Pulsed drain current: 1kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.07kW
Gate charge: 670nC
Polarisation: unipolar
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Drain current: 420A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 2.3mΩ
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2427.79 грн
5+2021.39 грн
10+1913.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN420N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.07kW, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Produktpalette: GigaMOS HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції IXFN420N10T за ціною від 2621.51 грн до 3082.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2621.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn420n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3082.73 грн
10+2919.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN420N10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee
IXFN420N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2621.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn420n10t-datasheet.pdf
IXFN420N10T
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3082.73 грн
10+2919.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN420N10T_Datasheet.PDF
IXFN420N10T
Виробник: IXYS
MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN420N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee
IXFN420N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.