IXFN44N100Q3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4205.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN44N100Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN44N100Q3 за ціною від 3381.07 грн до 5046.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN44N100Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN44N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.22Ω Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 960W Technology: HiPerFET™; Q3-Class Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 300ns Gate charge: 264nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN44N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN44N100Q3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |