Продукція > IXYS > IXFN44N100Q3
IXFN44N100Q3

IXFN44N100Q3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA77628F9891820&compId=IXFN44N100Q3.pdf?ci_sign=50013891e5e63e84eaa5c1c71ffceb0e2e5badb1 Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4128.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN44N100Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN44N100Q3 за ціною від 3318.66 грн до 4953.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 Виробник : IXYS media-3320067.pdf MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4677.71 грн
10+3917.98 грн
50+3405.47 грн
100+3392.23 грн
200+3318.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA77628F9891820&compId=IXFN44N100Q3.pdf?ci_sign=50013891e5e63e84eaa5c1c71ffceb0e2e5badb1 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4953.69 грн
300+4593.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n100q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n100q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.