IXFN44N80P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2331.38 грн |
| 10+ | 1657.00 грн |
| 100+ | 1451.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN44N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN44N80P за ціною від 1942.01 грн до 3085.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN44N80P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 36 Amps 800V |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN44N80P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 39A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.19Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 694W Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 200nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN44N80P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 44 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 694 Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFN44N80P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 39A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.19Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 694W Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 200nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN44N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 39A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |