Продукція > IXYS > IXFN44N80P
IXFN44N80P

IXFN44N80P IXYS

IXFN44N80P.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2558.58 грн
10+1830.52 грн
100+1560.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN44N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN44N80P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN44N80P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 36 Amps 800V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 694
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN44N80P_Datasheet.PDF
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 36 Amps 800V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXYS-S-A0008595711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN44N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 44
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 694
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.