Продукція > IXYS > IXFN48N50
IXFN48N50

IXFN48N50 IXYS

media-3321678.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules 500V 48A
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3637.86 грн
10+3047.88 грн
20+2472.42 грн
50+2395.55 грн
100+2317.94 грн
200+2163.46 грн
500+1989.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN48N50 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN48N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN48N50 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4_n50_datasheet.pdf.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4_n50_datasheet.pdf.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4_n50_datasheet.pdf.pdf MODULE
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50 IXFN48N50 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50 IXFN48N50 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N50 IXFN48N50 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4_n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.