Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFN48N50U3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN48N50U3 |
 SOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=48A, Vdss=500V Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXFN48N50U3 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFN48N50U3 |
|
SOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=48A, Vdss=500V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFN48N50U3 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.