Продукція > LITTELFUSE > IXFN48N60P
IXFN48N60P

IXFN48N60P Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2375.17 грн
10+2302.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN48N60P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN48N60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS SEMICONDUCTOR description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description
IXFN48N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.