IXFN50N120SK IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6992.64 грн |
| 3+ | 5740.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN50N120SK IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IXFN50N120SK
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN50N120SK | IXYS |
MOSFET Modules SiC Power MOSFET |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFN50N120SK |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules SiC Power MOSFET
MOSFET Modules SiC Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)