IXFN50N120SK IXYS
Виробник: IXYSDescription: SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 1000 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5553.67 грн |
| 10+ | 4586.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN50N120SK IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IXFN50N120SK за ціною від 5236.37 грн до 8016.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN50N120SK | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules SiC Power MOSFET |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN50N120SK | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 54ns Gate charge: 115nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFN50N120SK | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 54ns Gate charge: 115nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN50N120SK | Виробник : Littelfuse |
SiC Power MOSFET |
товару немає в наявності |