IXFN50N80Q2
Код товару: 41446
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFN50N80Q2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN50N80Q2 |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXFN50N80Q2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFN50N80Q2 | IXYS |
MOSFET Modules 50 Amps 800V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFN50N80Q2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFN50N80Q2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 50 Amps 800V
MOSFET Modules 50 Amps 800V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.