Продукція > IXYS > IXFN520N075T2
IXFN520N075T2

IXFN520N075T2 IXYS


IXFN520N075T2.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2287.58 грн
10+1629.05 грн
100+1436.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN520N075T2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXFN520N075T2 за ціною від 1504.35 грн до 3134.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2690.91 грн
5+2340.37 грн
10+1990.63 грн
25+1737.97 грн
100+1504.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2912.53 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2925.16 грн
50+2896.10 грн
100+2867.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+3125.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3134.10 грн
50+3102.97 грн
100+3072.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2
Код товару: 59603
Додати до обраних Обраний товар

IXFN520N075T2.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN520N075T2_Datasheet.PDF MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Виробник : IXYS IXFN520N075T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 150ns
Gate charge: 545nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Power dissipation: 940W
Electrical mounting: screw
Pulsed drain current: 1.5kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.