
IXFN520N075T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2428.62 грн |
10+ | 1729.72 грн |
100+ | 1525.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN520N075T2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXFN520N075T2 за ціною від 1524.48 грн до 2726.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFN520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFN520N075T2 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFN520N075T2 Код товару: 59603
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
IXFN520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |