IXFN520N075T2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2502.64 грн |
| 10+ | 1782.47 грн |
| 100+ | 1572.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN520N075T2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXFN520N075T2 за ціною від 1604.96 грн до 2869.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN520N075T2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN520N075T2 Код товару: 59603
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
IXFN520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN520N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 75V Drain current: 480A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1.5kA Power dissipation: 940W Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 150ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 75V Drain current: 480A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1.5kA Power dissipation: 940W Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 150ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |