на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4109.52 грн |
| 10+ | 3441.67 грн |
| 20+ | 2922.13 грн |
| 50+ | 2875.78 грн |
| 100+ | 2831.64 грн |
| 200+ | 2816.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN52N100X IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN52N100X за ціною від 3439.60 грн до 4409.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN52N100X | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN52N100X | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 44A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.125Ω Gate charge: 245nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 260ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN52N100X | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 44A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.125Ω Gate charge: 245nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 260ns |
товару немає в наявності |