Продукція > IXYS > IXFN55N50

IXFN55N50 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=7f724954-c5b4-4c7e-b19d-87773ab9b1fe&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_55n50_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
07+;
на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN55N50 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-227B, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V.

Інші пропозиції IXFN55N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN55N50 IXFN55N50 Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=7f724954-c5b4-4c7e-b19d-87773ab9b1fe&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_55n50_datasheet.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN55N50 IXFN55N50 Виробник : IXYS media-3321394.pdf MOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN55N50 IXFN55N50 Виробник : IXYS 97502.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 80mΩ
Gate charge: 330nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.