Продукція > IXYS > IXFN56N90P
IXFN56N90P

IXFN56N90P IXYS

DS100066BIXFN56N90P.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4201.38 грн
10+3090.83 грн
100+3002.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN56N90P IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN56N90P за ціною від 3986.46 грн до 4511.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN56N90P IXFN56N90P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN56N90P-Datasheet.PDF MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4511.89 грн
10+3986.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P
Код товару: 101753
Додати до обраних Обраний товар

DS100066BIXFN56N90P.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn56n90p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.