IXFN56N90P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4274.85 грн |
| 10+ | 3145.13 грн |
| 100+ | 3054.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN56N90P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN56N90P за ціною від 3984.92 грн до 4704.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN56N90P | Виробник : IXYS |
 MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFN56N90P Код товару: 101753
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||
 |
IXFN56N90P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN56N90P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFN56N90P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFN56N90P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFN56N90P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 300ns |
товару немає в наявності |