Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFN60N80P

IXFN60N80P

IXFN60N80P.pdf
Код товару: 84689
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN60N80P

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:60A
  • On State Resistance:0.14ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
  • Max Voltage Vds:800V
  • N-channel Gate Charge:250nC
  • No. of Pins:4
  • Power Dissipation Pd:1040W
  • Typ Capacitance Ciss:18000pF
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:250ns
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Інші пропозиції IXFN60N80P за ціною від 2353.60 грн до 3659.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3659.13 грн
10+2665.45 грн
50+2353.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN60N80P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3659.13 грн
10+2665.45 грн
50+2353.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN60N80P_Datasheet.PDF
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.