Продукція > IXYS > IXFN60N80P
IXFN60N80P

IXFN60N80P IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN60N80P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3160.08 грн
10+2619.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN60N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN60N80P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN60N80P IXFN60N80P
Код товару: 84689
Додати до обраних Обраний товар
IXFN60N80P.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P.pdf SOT-227B, PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET, 800V 53A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : IXYS IXFN60N80P.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.