Продукція > IXYS > IXFN60N80P
IXFN60N80P

IXFN60N80P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F24B9F9CDFB820&compId=IXFN60N80P.pdf?ci_sign=559fd8e3a46ccaf185911c21319f68de98543251 Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2730.87 грн
10+2438.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN60N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN60N80P за ціною від 2109.08 грн до 3666.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3146.19 грн
10+2276.72 грн
100+2109.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F24B9F9CDFB820&compId=IXFN60N80P.pdf?ci_sign=559fd8e3a46ccaf185911c21319f68de98543251 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3277.05 грн
10+3039.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : IXYS media-3323858.pdf MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3666.37 грн
10+2751.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P
Код товару: 84689
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn60n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.