Продукція > IXYS > IXFN60N80P
IXFN60N80P

IXFN60N80P IXYS


media-3323858.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules DIODE Id54 BVdass800
на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3263.4 грн
10+ 2866.81 грн
20+ 2344.37 грн
50+ 2323.82 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN60N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN60N80P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN60N80P IXFN60N80P
Код товару: 84689
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn60n80p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn60n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : IXYS IXFN60N80P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn60n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN60N80P IXFN60N80P Виробник : IXYS IXFN60N80P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній