на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3263.4 грн |
10+ | 2866.81 грн |
20+ | 2344.37 грн |
50+ | 2323.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN60N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN60N80P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXFN60N80P Код товару: 84689 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
IXFN60N80P | Виробник : Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 53A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IXFN60N80P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 53A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |