Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFN60N80P

IXFN60N80P

IXFN60N80P.pdf
Код товару: 84689
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN60N80P

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:60A
  • On State Resistance:0.14ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
  • Max Voltage Vds:800V
  • N-channel Gate Charge:250nC
  • No. of Pins:4
  • Power Dissipation Pd:1040W
  • Typ Capacitance Ciss:18000pF
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:250ns
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Інші пропозиції IXFN60N80P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN60N80P IXFN60N80P.pdf description SOT-227B, PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET, 800V 53A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P.pdf description Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN60N80P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
SOT-227B, PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET, 800V 53A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN60N80P_Datasheet.PDF
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.