IXFN60N80P IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2788.95 грн |
| 10+ | 2490.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN60N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN60N80P за ціною від 2145.60 грн до 3546.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V |
на замовлення 861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFN60N80P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 53A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.14Ω Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 250nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN60N80P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800 |
на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN60N80P Код товару: 84689
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||
 |
IXFN60N80P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN60N80P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFN60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |