на замовлення 300 шт:
термін постачання 614-623 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4194.28 грн |
| 10+ | 3906.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN62N80Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN62N80Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN62N80Q3 |
 |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
IXFN62N80Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 49A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXFN62N80Q3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A Case: SOT227B Drain current: 49A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-source voltage: ±40V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 0.14Ω Reverse recovery time: 300ns Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 960W Gate charge: 0.27µC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; Q3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFN62N80Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFN62N80Q3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A Case: SOT227B Drain current: 49A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-source voltage: ±40V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 0.14Ω Reverse recovery time: 300ns Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 960W Gate charge: 0.27µC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; Q3-Class |
товар відсутній |