
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4721.48 грн |
10+ | 3816.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN62N80Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN62N80Q3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IXFN62N80Q3 |
![]() |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
IXFN62N80Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IXFN62N80Q3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXFN62N80Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |