на замовлення 300 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2066.73 грн |
| 10+ | 1810.35 грн |
| 20+ | 1469.1 грн |
| 50+ | 1423.02 грн |
| 100+ | 1395.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN64N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN64N50P за ціною від 1918.14 грн до 2333.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN64N50P | Виробник : Ixys Corporation |
 Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFN64N50P Код товару: 122714 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
|
|
IXFN64N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN64N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN64N50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 50A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 625W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 85mΩ Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFN64N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFN64N50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 50A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 625W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 85mΩ Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |