IXFN64N50P

IXFN64N50P Littelfuse Inc.


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=C3F76E7E-02FB-4FB9-BB27-8D8D85DFFDE8 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2093.78 грн
10+1478.95 грн
100+1269.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN64N50P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN64N50P за ціною від 1581.72 грн до 2476.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN64N50P IXFN64N50P Виробник : IXYS media-3322863.pdf MOSFET Modules 500V 64A
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2343.15 грн
10+2030.48 грн
20+1737.68 грн
50+1725.91 грн
100+1614.09 грн
500+1581.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N50P IXFN64N50P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2476.89 грн
40+2323.56 грн
80+2204.94 грн
120+2035.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N50P
Код товару: 122714
Додати до обраних Обраний товар

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=C3F76E7E-02FB-4FB9-BB27-8D8D85DFFDE8 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N50P IXFN64N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N50P IXFN64N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N50P IXFN64N50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF92724B3D05820&compId=IXFN64N50P.pdf?ci_sign=745dacaa39587d6945ae1a13a81afae1ffc43c43 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N50P IXFN64N50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF92724B3D05820&compId=IXFN64N50P.pdf?ci_sign=745dacaa39587d6945ae1a13a81afae1ffc43c43 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.