Технічний опис IXFN64N50P
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:64A
- On State Resistance:0.085ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5.5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.18`C/W
- Max Voltage Vds:500V
- N-channel Gate Charge:150nC
- No. of Pins:4
- Power Dissipation Pd:700W
- Typ Capacitance Ciss:8700pF
- Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
- Transistor Case Style:ISOTOP
Інші пропозиції IXFN64N50P за ціною від 1389.46 грн до 2527.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN64N50P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFN64N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 500V 64A |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|