на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2779.16 грн |
| 10+ | 2024.56 грн |
| 100+ | 1711.93 грн |
| 250+ | 1693.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN64N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN64N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN64N60P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IXFN64N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFN64N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFN64N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN64N60P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 96mΩ Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 700W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 200nC Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN64N60P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFN64N60P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 96mΩ Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 700W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw Gate charge: 200nC Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |