Продукція > IXYS > IXFN64N60P
IXFN64N60P

IXFN64N60P IXYS

99443.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2465.63 грн
10+1755.28 грн
100+1544.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN64N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN64N60P за ціною від 2050.32 грн до 2648.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN64N60P IXFN64N60P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2648.38 грн
10+2050.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn64n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97E62CB569820&compId=IXFN64N60P.pdf?ci_sign=5337465655f291d661ef9e1d6e80c564eef352dc Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 96mΩ
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.