Продукція > IXYS > IXFN66N85X
IXFN66N85X

IXFN66N85X IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA70A95430AF820&compId=IXFN66N85X.pdf?ci_sign=2d203018ce9c13744ae92c3349badbac31ecd4da Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2746.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN66N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN66N85X за ціною від 2475.76 грн до 3430.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN66N85X IXFN66N85X Виробник : IXYS media-3323199.pdf MOSFET Modules 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3257.38 грн
10+2751.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA70A95430AF820&compId=IXFN66N85X.pdf?ci_sign=2d203018ce9c13744ae92c3349badbac31ecd4da Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3296.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3430.82 грн
10+2619.74 грн
100+2475.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 65A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.