на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10615.53 грн |
| 10+ | 9490.21 грн |
| 50+ | 8251.60 грн |
| 100+ | 8230.47 грн |
| 200+ | 8206.33 грн |
| 500+ | 8188.22 грн |
| 1000+ | 8170.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN70N120SK IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IXFN70N120SK
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN70N120SK | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN70N120SK | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFN70N120SK | Виробник : IXYS |
Description: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |