IXFN80N50 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4093.62 грн |
| 10+ | 3013.62 грн |
| 100+ | 2932.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN80N50 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 780W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFN80N50 за ціною від 3254.65 грн до 4257.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 780W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN80N50 Код товару: 42690
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||
 |
IXFN80N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN80N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 500V 80A |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 320A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 694W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 55mΩ Gate charge: 380nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Technology: HiPerFET™ Reverse recovery time: 250ns |
товару немає в наявності |