Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFN80N50
IXFN80N50

IXFN80N50 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4354.68 грн
10+3812.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN80N50 Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 780W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFN80N50 за ціною від 3046.48 грн до 4869.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN80N50 IXFN80N50 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR 3732484.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4869.10 грн
5+4235.97 грн
10+3758.40 грн
50+3046.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50
Код товару: 42690
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50 Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50 Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50 Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn80n50_datasheet.pdf.pdf IXFN80N50 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50 Виробник : IXYS media-3320626.pdf Discrete Semiconductor Modules 500V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.