Технічний опис IXFN80N50
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:80A
- On State Resistance:0.055ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4.5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:4J
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.055ohm
- Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
- Max Voltage Vds:500V
- Max Voltage Vgs th:4.5V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- N-channel Gate Charge:380nC
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:780W
- Power Dissipation Pd:780W
- Pulse Current Idm:320A
- Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns
- Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
- Weight:0.000036kg
- Transistor Case Style:ISOTOP
Інші пропозиції IXFN80N50 за ціною від 2924.03 грн до 5537.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 780W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 500V 80A |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 320A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 694W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 55mΩ Gate charge: 380nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Technology: HiPerFET™ Reverse recovery time: 250ns |
товару немає в наявності |