Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFN80N50
IXFN80N50

IXFN80N50

98538.pdf
Код товару: 42690
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN80N50

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.055ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:4J
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.055ohm
  • Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
  • Max Voltage Vds:500V
  • Max Voltage Vgs th:4.5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • N-channel Gate Charge:380nC
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:780W
  • Power Dissipation Pd:780W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
  • Weight:0.000036kg
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Інші пропозиції IXFN80N50 за ціною від 2924.03 грн до 4081.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN80N50 IXFN80N50 IXYS 98538.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4081.32 грн
10+3004.57 грн
100+2924.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN80N50_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 500V 80A
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 IXFN80N50 IXYS SEMICONDUCTOR 3732484.pdf description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 description 98538.pdf
IXFN80N50
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4081.32 грн
10+3004.57 грн
100+2924.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN80N50_Datasheet.PDF
IXFN80N50
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 500V 80A
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N50 description 3732484.pdf
IXFN80N50
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.