IXFN80N60P3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2455.72 грн |
| 10+ | 2101.3 грн |
| 100+ | 1837.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN80N60P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN80N60P3 за ціною від 1725.44 грн до 2667.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N60P3 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXFN80N60P3 |
|
на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IXFN80N60P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFN80N60P3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 960W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 77mΩ Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFN80N60P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 66 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 960 Bauform - Transistor: SOT-227B Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: Polar3 HiperFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFN80N60P3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 960W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 77mΩ Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |