IXFN80N60P3

IXFN80N60P3 Littelfuse Inc.


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN80N60P3-Datasheet.PDF?assetguid=9434A8A1-B967-4231-AB2B-1058CFA96F61 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2396.18 грн
10+1755.21 грн
100+1595.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN80N60P3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN80N60P3 за ціною від 2081.24 грн до 2737.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 Виробник : IXYS media-3321784.pdf MOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2737.96 грн
10+2081.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN80N60P3-Datasheet.PDF?assetguid=9434A8A1-B967-4231-AB2B-1058CFA96F61
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9D7CE511A5820&compId=IXFN80N60P3.pdf?ci_sign=8a40d9f6e2d287d4560f0df449c58f73299f151f Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR 2359841.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9D7CE511A5820&compId=IXFN80N60P3.pdf?ci_sign=8a40d9f6e2d287d4560f0df449c58f73299f151f Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.