Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFN82N60P

IXFN82N60P

DS99559FIXFN82N60P.pdf
Код товару: 38016
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN82N60P

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:82A
  • On State Resistance:0.75ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
  • Max Voltage Vds:600V
  • N-channel Gate Charge:240nC
  • No. of Pins:4
  • Power Dissipation Pd:1040W
  • Typ Capacitance Ciss:23000pF
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Інші пропозиції IXFN82N60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFN82N60P IXFN82N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN82N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN82N60P_Datasheet.PDF
IXFN82N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.