Продукція > IXYS > IXFN82N60P
IXFN82N60P

IXFN82N60P IXYS

DS99559FIXFN82N60P.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2883.54 грн
10+2072.34 грн
100+1878.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN82N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN82N60P за ціною від 2169.63 грн до 3341.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN82N60P_Datasheet.PDF MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3341.62 грн
10+2732.31 грн
100+2169.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P
Код товару: 38016
Додати до обраних Обраний товар

DS99559FIXFN82N60P.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C7A165E0998BF&compId=IXFN82N60P.pdf?ci_sign=0609a250046cc3b3184e0f9e8a1cec155172d322 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 75mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 200A
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.