IXFN82N60P

IXFN82N60P


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60p_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 38016
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN82N60P

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:82A
  • On State Resistance:0.75ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
  • Max Voltage Vds:600V
  • N-channel Gate Charge:240nC
  • No. of Pins:4
  • Power Dissipation Pd:1040W
  • Typ Capacitance Ciss:23000pF
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Інші пропозиції IXFN82N60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS IXFN82N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS media-3321039.pdf Discrete Semiconductor Modules DIODE Id82 BVdass600
товар відсутній
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS IXFN82N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній