Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFN82N60P
IXFN82N60P

IXFN82N60P Littelfuse Inc.

Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2932.56 грн
10+2107.27 грн
100+1910.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN82N60P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN82N60P за ціною від 2123.18 грн до 3119.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS media-3321039.pdf MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3119.05 грн
10+2739.46 грн
20+2240.89 грн
50+2165.11 грн
100+2123.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P
Код товару: 38016
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS IXFN82N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 75mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 200A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN82N60P IXFN82N60P Виробник : IXYS IXFN82N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 72A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 75mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 200A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.