Технічний опис IXFN82N60P
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:600V
- Cont Current Id:82A
- On State Resistance:0.75ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
- Max Voltage Vds:600V
- N-channel Gate Charge:240nC
- No. of Pins:4
- Power Dissipation Pd:1040W
- Typ Capacitance Ciss:23000pF
- Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
- Transistor Case Style:ISOTOP
Інші пропозиції IXFN82N60P за ціною від 1748.09 грн до 3000.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN82N60P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN82N60P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600 |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFN82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IXFN82N60P |
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |