IXFN82N60P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2866.77 грн |
| 10+ | 2060.23 грн |
| 100+ | 1867.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN82N60P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN82N60P за ціною від 2177.79 грн до 3199.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN82N60P | Виробник : IXYS |
 MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600 |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN82N60P Код товару: 38016
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
IXFN82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFN82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFN82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXFN82N60P | Виробник : IXYS | IXFN82N60P Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |