Продукція > IXYS > IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3 IXYS

IXFN82N60Q3.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 275nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3388.59 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN82N60Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN82N60Q3 за ціною від 4066.3 грн до 4066.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN82N60Q3 IXFN82N60Q3 Виробник : IXYS IXFN82N60Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 275nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4066.3 грн
IXFN82N60Q3 IXFN82N60Q3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN82N60Q3 IXFN82N60Q3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN82N60Q3 IXFN82N60Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn82n60q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN82N60Q3 IXFN82N60Q3 Виробник : IXYS media-3319982.pdf Discrete Semiconductor Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
товар відсутній